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参数目录39987
> BVSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
型号:
BVSS138LT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BVSS138LT1G PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
50pF @ 25V
功率 - 最大
225mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3
包装
带卷 (TR)
查看BVSS138LT1G代理商
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